MJD50RLG دیتاشیت

MJD50RLG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD50RLG
حجم فایل 81.601 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت MJD50RLG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MJD50RLG
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 15W
  • Transition Frequency (fT): 10MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 30@300mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): -
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@1A,200mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه